Synopsys представила новое решение для работы с многослойной памятью

В последнее время оперативная память с многослойной компоновкой (High Bandwidth Memory,  HBM) стремительными темпами набирает популярность. Интерфейс HBM позволяет разработчикам достичь небывалого уровня производительности по сравнению с обычными интерфейсами ОЗУ, поэтому можно смело утверждать, что за многослойной памятью будущее.

Как известно, для работы оперативной памяти нужна так называемая «обвязка», состоящая из интерфейса физического уровня (PHY) и специального контроллера. Именно такое решение для памяти HBM представила на днях компания Synopsys. Комплекс называется DesignWare HBM2; в перспективе он позволяет достичь пропускной способности 307 Гб/с, что примерно в 12 раз выше, чем у интерфейса DDR4-3200.

DesignWare HBM2 состоит из физического интерфейса, контроллера и специального модуля проверки. Решение также обладает крайне высокой энергоэффективностью  (почти в 10 раз выше, чем у DDR4). Сфера применения новой обвязки весьма широка: её можно использовать в видеокартах, серверах, суперкомпьютерах, корпоративных сетях и так далее.

Отметим, что дизайн DesignWare HBM2 уже нашёл своё применение в графическом процессоре AMD Vega. Новый комплекс доступен для разработчиков, использующих 7-нм и 14-нм технологии. Версии для других техпроцессов будут доступны чуть позже.